В процессе производства полупроводников резка пластин — критически важный этап, требующий высокой точности и стабильности оборудования. Гранитные основания станков ZHHIMG® обладают рядом преимуществ при использовании в станках для резки пластин, что делает их идеальным выбором для этой сложной задачи.
Исключительная устойчивость. Гранит ZHHIMG®, плотность которого составляет около 3100 кг/м³, обеспечивает прочную основу для станков для резки пластин. Высокая плотность обеспечивает превосходную устойчивость, сводя к минимуму любые возможные смещения и вибрации во время резки. Эта устойчивость крайне важна, поскольку даже малейшая вибрация может привести к отклонению режущего инструмента от заданной траектории, что приведет к неточным резам и бракованным пластинам. В отличие от материалов с меньшей плотностью, гранит ZHHIMG® обеспечивает точное позиционирование режущей головки, что позволяет получать высококачественные и стабильные разрезы по всей пластине.
Низкое тепловое расширение. На предприятиях по производству полупроводников часто строго контролируется температура, но небольшие колебания всё же возможны. Гранит ZHHIMG® имеет очень низкий коэффициент теплового расширения. Это означает, что при небольших изменениях температуры в производственной среде гранитное основание станка не будет существенно расширяться или сжиматься. При резке пластин, где допуски точности находятся в микрометровом или даже нанометровом диапазоне, тепловые изменения размеров могут иметь катастрофические последствия. Низкое тепловое расширение гранита ZHHIMG® способствует поддержанию соосности компонентов станка, обеспечивая точность резки независимо от незначительных колебаний температуры.
Превосходное гашение вибраций. Во время резки пластин режущий инструмент генерирует вибрации. Если эти вибрации не гасить эффективно, они могут передаваться пластине, вызывая сколы и другие повреждения. Гранит ZHHIMG® обладает естественными виброгасящими свойствами. Его внутренняя структура, сформированная в течение длительного геологического периода, позволяет ему быстро поглощать и рассеивать вибрации. Это значительное преимущество по сравнению с некоторыми металлическими основаниями станков, которые могут легче передавать вибрации. Снижая вибрации, основания станков из гранита ZHHIMG® способствуют более плавной резке, что обеспечивает более чистый рез и более высокое качество пластин.
Высокая износостойкость. Станки для резки пластин непрерывно используются в крупносерийном производстве полупроводников. В процессе резки основание станка подвергается механическим нагрузкам и трению. Высокая твёрдость и износостойкость гранита ZHHIMG® позволяют основанию станка выдерживать эти нагрузки в течение длительного времени без значительного износа. Такая прочность означает, что основание станка может сохранять точность размеров и производительность в течение длительного срока службы. Это снижает необходимость в частой замене деталей или дорогостоящем обслуживании из-за износа, что в конечном итоге экономит производителям полупроводников время и деньги.
Химическая инертность. В условиях производства полупроводников оборудование может подвергаться воздействию различных химикатов, используемых при очистке, травлении и других процессах. Гранит ZHHIMG® химически инертен и устойчив к коррозии, вызываемой этими химикатами. Это свойство обеспечивает целостность основания станка даже при воздействии агрессивных химических веществ. Он способствует поддержанию стабильности и точности работы станка для резки пластин в течение длительного времени, поскольку химическая коррозия может привести к деформации или снижению производительности основания станка.
Подводя итог, можно сказать, что гранитные основания станков ZHHIMG® сочетают в себе устойчивость, термостойкость, виброгашение, износостойкость и химическую инертность, что крайне важно для станков для резки пластин. При планировании модернизации или приобретения нового оборудования для резки пластин выбор станка с гранитным основанием ZHHIMG® — разумное решение, которое позволит повысить качество и эффективность процессов производства полупроводников.
Время публикации: 03 июня 2025 г.